In Civitatibus Foederatis Americae auctus materias semiconductores cum magna scelerisque conductivity ad chip calefactionis supprimendas evolvit.
Crescente numero transistorum in spumam, computatio perficientur emendare pergit, sed alta densificatio multas etiam maculas calidas efficit.
Sine propria technologiae administratione scelerisque, praeter celeritatem processus operationis tarditatem et constantiam reducendi, sunt etiam rationes praeveniendi excandescentiae et additicium industriam requirit, industriam inefficientiam difficultates creandi.Ad solvendam hanc quaestionem, Universitas Californiae, Los Angeles novam materiam semiconductoris cum praealtis conductivis scelerisque anno 2018 evolvit, quae componitur ex arsenide boron et phosphide boron liberorum defectus, quae similis est materiae dissipationi calori exsistenti sicuti. adamas et pii carbide.ratione, cum plusquam 3 temporibus conductivity scelerisque.
Mense Iunio 2021, Universitas Californiae, Los Angeles, novas materias semiconductores cum summa potestate astularum computatrorum coniungendi usus est ad calorem generationis astularum feliciter supprimendum, quo perficiendo computatrales meliores.Investigationis quadrigis boron semiconductorem arsenidum inter chip et submersum complexionem caloris inseruit et spumam ad effectum dissipationis caloris emendavit, et investigatio in administratione scelerisque effectionis rei fabricae peractae sunt.
Postquam arsenidi boron compages subiectae energiae hiatus gallium nitride semiconductorem late subiecerat, confirmatum est scelerisque conductivity gallii nitride/boronis arsenidi interfaciei tam altae quam 250 MW/m2K fuisse, et resistentia interfaciei ad gradum perexiguum pervenit.Boron arsenidi substratum ulterius coniungitur cum magno electronico mobilitate transistoris, quae ex aluminio gallium nitride/gallium nitride componitur, et confirmatur effectum dissipationis caloris signanter meliorem esse quam carbidam adamantinum vel silicon.
Investigatio quadrigis operata est chip in maximam facultatem, et mensus est maculam calidam a cella temperie ad summum temperatum.Exitus experimentalis ostendunt temperaturam caloris adamantis submersi esse 137°C; carbidi pii caloris submersum esse 167°C, et boron arsenidi caloris submersa est tantum 87°C.Praeclara scelerisque conductivity huius interfaciei oritur ex unica phononica compage boron arsenide et integratione instrumenti.Arsenide boron materia non solum altam conductionem scelerisque habet, sed etiam parvam machinam machinae resistentiae habet.
Poni potest ut calor concidat ad altiorem vim operantem perficiendam.Exspectatur utendum in longo spatio, summus capacitas communicationis wireless in futuro.Usus in campo frequentiae potentiae electronicarum vel electronicarum packaging.
Post tempus: Aug-08-2022